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IPB042N10N3GATMA1  与  AOB292L  区别

型号 IPB042N10N3GATMA1 AOB292L
唯样编号 A-IPB042N10N3GATMA1 A-AOB292L
制造商 Infineon Technologies AOS
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 100V 100A D2PAK
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Crss(pF) - 32
功率耗散(最大值) 214W(Tc) -
Rds On(Max)@Id,Vgs - 4.1mΩ@20A,10V
Qgd(nC) - 13.5
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 8410pF @ 50V -
栅极电压Vgs - ±20V
Td(on)(ns) - 20
封装/外壳 TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB TO-263
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) 117nC @ 10V -
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ) -55℃~175℃
连续漏极电流Id - 105A
Ciss(pF) - 6775
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 4.2 毫欧 @ 50A,10V -
Vgs(最大值) ±20V -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 6V,10V -
Trr(ns) - 50
Td(off)(ns) - 48
技术 MOSFET(金属氧化物) -
漏源极电压Vds - 100V
Pd-功率耗散(Max) - 300W
Qrr(nC) - 380
VGS(th) - 3.4
FET类型 N 通道 N-Channel
不同Id时Vgs(th)(最大值) 3.5V @ 150uA -
25°C时电流-连续漏极(Id) 100A(Tc) -
漏源电压(Vdss) 100V -
Coss(pF) - 557
Qg*(nC) - 90*
库存与单价
库存 0 749
工厂交货期 56 - 70天 3 - 5天
单价(含税) 暂无价格
1+ :  ¥14.6939
100+ :  ¥10.5882
400+ :  ¥9.1139
800+ :  ¥7.2
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TO-263

¥14.6939 

阶梯数 价格
1: ¥14.6939
100: ¥10.5882
400: ¥9.1139
800: ¥7.2
749 对比
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¥29.2248 

阶梯数 价格
10: ¥29.2248
100: ¥21.648
400: ¥18.3458
800: ¥16.831
40 对比
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¥20.0457 

阶梯数 价格
210: ¥20.0457
400: ¥16.9879
800: ¥15.5852
0 对比
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¥22.4271 

阶梯数 价格
210: ¥22.4271
400: ¥19.006
800: ¥17.4367
0 对比
PSMN5R6-100BS,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

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¥17.1767 

阶梯数 价格
210: ¥17.1767
400: ¥14.5565
800: ¥13.3546
0 对比

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