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IPB042N10N3GATMA1  与  BUK763R8-80E,118  区别

型号 IPB042N10N3GATMA1 BUK763R8-80E,118
唯样编号 A-IPB042N10N3GATMA1 A-BUK763R8-80E,118
制造商 Infineon Technologies Nexperia
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 100V 100A D2PAK MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) 214W(Tc) -
技术 MOSFET(金属氧化物) -
漏源极电压Vds - 80V
Pd-功率耗散(Max) - 349W
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 8410pF @ 50V -
输出电容 - 840pF
栅极电压Vgs - 3V
FET类型 N 通道 N-Channel
封装/外壳 TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB SOT404
不同Id时Vgs(th)(最大值) 3.5V @ 150uA -
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) 117nC @ 10V -
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ) 175℃
连续漏极电流Id - 120A
输入电容 - 9020pF
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 4.2 毫欧 @ 50A,10V -
Vgs(最大值) ±20V -
25°C时电流-连续漏极(Id) 100A(Tc) -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 6V,10V -
漏源电压(Vdss) 100V -
Rds On(max)@Id,Vgs - 3.8mΩ@10V
库存与单价
库存 0 40
工厂交货期 56 - 70天 3 - 5天
单价(含税) 暂无价格
10+ :  ¥29.2248
100+ :  ¥21.648
400+ :  ¥18.3458
800+ :  ¥16.831
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IPB042N10N3GATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPB042N10N3 G_TO-263-3,D²Pak(2引线+接片),TO-263AB

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¥14.6939 

阶梯数 价格
1: ¥14.6939
100: ¥10.5882
400: ¥9.1139
800: ¥7.2
749 对比
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¥29.2248 

阶梯数 价格
10: ¥29.2248
100: ¥21.648
400: ¥18.3458
800: ¥16.831
40 对比
PSMN3R8-100BS,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

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¥20.0457 

阶梯数 价格
210: ¥20.0457
400: ¥16.9879
800: ¥15.5852
0 对比
BUK765R0-100E,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

BUK765R0-100E_SOT404

¥22.4271 

阶梯数 价格
210: ¥22.4271
400: ¥19.006
800: ¥17.4367
0 对比
PSMN5R6-100BS,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

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¥17.1767 

阶梯数 价格
210: ¥17.1767
400: ¥14.5565
800: ¥13.3546
0 对比

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