尊敬的客户:五一劳动节5-1至5-3我司放假,放假期间网站可自助下单,节后将按订单先后顺序安排,给您带来的不便,敬请谅解!
首页 > 商品目录 > > > > IRF540NSTRLPBF代替型号比较

IRF540NSTRLPBF  与  IRF540NSTRRPBF  区别

型号 IRF540NSTRLPBF IRF540NSTRRPBF
唯样编号 A-IRF540NSTRLPBF A-IRF540NSTRRPBF
制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 Single N-Channel 100 V 130 W 71 nC HexfetPower Mosfet Surface Mount - D2PAK-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 44mΩ@16A,10V 44mΩ@16A,10V
漏源极电压Vds 100V 100V
Pd-功率耗散(Max) 130W(Tc) 130W(Tc)
栅极电压Vgs ±20V ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 TO-263-3 D2PAK
连续漏极电流Id 33A(Tc) 33A
工作温度 -55°C~175°C(TJ) -55°C~175°C(TJ)
系列 HEXFET® HEXFET®
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA 4V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 1960pF @ 25V 1960pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 71nC @ 10V 71nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 4V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 1960pF @ 25V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 71nC @ 10V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
购买数量 点击询价 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRF540NSTRLPBF Infineon  数据手册 通用MOSFET

TO-263-3

暂无价格 0 当前型号
STB30NF10T4 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-263-3

暂无价格 2,000 对比
STB60NF10T4 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-263-3

暂无价格 1,000 对比
BUK9640-100A,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

BUK9640-100A_SOT404

¥8.3584 

阶梯数 价格
210: ¥8.3584
400: ¥7.0834
800: ¥6.4985
0 对比
BUK7640-100A,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

BUK7640-100A_SOT404

¥13.5938 

阶梯数 价格
180: ¥13.5938
400: ¥10.6202
800: ¥8.7051
0 对比
IRF540NSTRRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

D2PAK

暂无价格 0 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售