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IRF7341TRPBF  与  DMN6040SSD-13  区别

型号 IRF7341TRPBF DMN6040SSD-13
唯样编号 A-IRF7341TRPBF A3-DMN6040SSD-13
制造商 Infineon Technologies Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET 2N-CH 55V 4.7A 8-SOIC MOSFET
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 50mΩ@4.7A,10V 40mΩ
正向跨导-最小值 - 4.5 S
上升时间 - 8.1ns
漏源极电压Vds 55V 60V
Pd-功率耗散(Max) 2W 1.7W
Qg-栅极电荷 - 22.4nC
栅极电压Vgs ±20V 1V
典型关闭延迟时间 - 20.1ns
正向跨导 - 最小值 - 4.5S
FET类型 N-Channel 2N-Channel
封装/外壳 SOIC SO
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id 4.7A 5A
系列 HEXFET® DMN6040
配置 - Dual
通道数量 - 2Channel
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 1V @ 250µA 3V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 740pF @ 25V 1287pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 36nC @ 10V 22.4nC @ 10V
下降时间 - 4ns
典型接通延迟时间 - 6.6ns
库存与单价
库存 0 5,250
工厂交货期 56 - 70天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRF7341TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

SOIC

暂无价格 0 当前型号
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