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IRF7416TRPBF  与  DMG4435SSS-13  区别

型号 IRF7416TRPBF DMG4435SSS-13
唯样编号 A-IRF7416TRPBF A-DMG4435SSS-13
制造商 Infineon Technologies Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Single HexFet -30 V 2.5 W 92 nC Silicon Surface Mount Mosfet - SOIC-8 P-Channel 30 V 20 mOhm Surface Mount Enhancement Mode Mosfet - SOP-8
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 20mΩ@5.6A,10V 16mΩ@11A,20V
上升时间 - 12.7ns
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) - 2.5W
Qg-栅极电荷 - 35.4nC
栅极电压Vgs - ±25V
典型关闭延迟时间 - 44.9ns
正向跨导 - 最小值 - 22S
FET类型 P-Channel P-Channel
封装/外壳 8-SO SO-8
连续漏极电流Id 10A 7.3A
工作温度 - -55°C~150°C
系列 - DMG4435
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 1V @ 250µA 2.5V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 1700pF @ 25V 1614pF @ 15V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 92nC @ 10V 35.4nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V 5V,20V
下降时间 - 22.8ns
典型接通延迟时间 - 8.6ns
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRF7416TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

8-SO

暂无价格 0 当前型号
DMG4435SSS-13 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

SO-8

¥0.805 

阶梯数 价格
2,500: ¥0.805
5,000 对比
AO4419 AOS  数据手册 功率MOSFET

SO-8

¥2.5734 

阶梯数 价格
480: ¥2.5734
1,000: ¥2.025
1,500: ¥1.5836
3,000: ¥1.2352
0 对比
IRF7416PBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

8-SO

暂无价格 0 对比
DMG4435SSS-13 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

SO-8

暂无价格 0 对比
FDS4685 ON Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

8-SOIC(0.154",3.90mm宽) SOIC 8-SOIC

暂无价格 0 对比

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