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IRF7469TRPBF  与  RS6G120BGTB1  区别

型号 IRF7469TRPBF RS6G120BGTB1
唯样编号 A-IRF7469TRPBF A3-RS6G120BGTB1
制造商 Infineon Technologies ROHM Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Single N-Channel 40 V 2.5 W 15 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - SOIC-8 NCH 40V 210A, HSOP8, POWER MOSFE
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 17mΩ@9A,10V 1.34mΩ@90A,10V
漏源极电压Vds 40V 40V
Pd-功率耗散(Max) 2.5W(Ta) 104W
栅极电压Vgs ±20V ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 8-SO HSOP8 (Single)
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C~150°C
连续漏极电流Id 9A 120A
系列 HEXFET® -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 3V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 2000pF @ 20V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 23nC @ 4.5V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2000pF @ 20V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 23nC @ 4.5V -
库存与单价
库存 0 100
工厂交货期 56 - 70天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
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HSOP8(Single)

¥10.1972 

阶梯数 价格
1: ¥10.1972
100: ¥5.0986
100 对比

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