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IRF9389TRPBF  与  AO4620  区别

型号 IRF9389TRPBF AO4620
唯样编号 A-IRF9389TRPBF A-AO4620
制造商 Infineon Technologies AOS
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 N/P-Channel ±30 V 27/64 mO 2 W HEXFET Mosfet Surface Mount - SOIC-8
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Crss(pF) - 41
Rds On(Max)@Id,Vgs 27mΩ@6.8A,10V 24mΩ@10V
ESD Diode - No
Rds On(Max)@4.5V - 36mΩ
Qgd(nC) - 1.7
栅极电压Vgs - 20V
Td(on)(ns) - 4.5
封装/外壳 8-SO SO-8
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -
连续漏极电流Id 6.8A,4.6A 7.2A
Ciss(pF) - 373
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.3V @ 10µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 398pF @ 15V -
Schottky Diode - No
Trr(ns) - 10.5
Td(off)(ns) - 14.9
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 2W 2W
Qrr(nC) - 4.5
VGS(th) - 2.6
FET类型 N+P-Channel N-Channel
系列 HEXFET® -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 2.3V @ 10µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 398pF @ 15V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 14nC @ 10V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 14nC @ 10V -
Coss(pF) - 67
Qg*(nC) - 3.5
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格
480+ :  ¥2.779
1,000+ :  ¥2.1867
1,500+ :  ¥1.7101
3,000+ :  ¥1.3339
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¥2.779 

阶梯数 价格
480: ¥2.779
1,000: ¥2.1867
1,500: ¥1.7101
3,000: ¥1.3339
0 对比
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