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IRF9389TRPBF  与  ZXMC3A17DN8TA  区别

型号 IRF9389TRPBF ZXMC3A17DN8TA
唯样编号 A-IRF9389TRPBF A-ZXMC3A17DN8TA
制造商 Infineon Technologies Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET MOSFET
描述 N/P-Channel ±30 V 27/64 mO 2 W HEXFET Mosfet Surface Mount - SOIC-8 MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 27mΩ@6.8A,10V -
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 2W 1.25W
RdsOn(Max)@Id,Vgs - 50mΩ@7.8A,10V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 600pF @ 25V
FET类型 N+P-Channel N+P-Channel
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) - 12.2nC @ 10V
封装/外壳 8-SO 8-SO
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55℃~150℃(TJ)
连续漏极电流Id 6.8A,4.6A 4.1A,3.4A
系列 HEXFET® -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 2.3V @ 10µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 398pF @ 15V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 14nC @ 10V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.3V @ 10µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 398pF @ 15V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 14nC @ 10V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
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8-SO

暂无价格 0 当前型号
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¥2.779 

阶梯数 价格
480: ¥2.779
1,000: ¥2.1867
1,500: ¥1.7101
3,000: ¥1.3339
0 对比
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