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IRF9389TRPBF  与  IRF7379TRPBF  区别

型号 IRF9389TRPBF IRF7379TRPBF
唯样编号 A-IRF9389TRPBF A-IRF7379TRPBF
制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 N/P-Channel ±30 V 27/64 mO 2 W HEXFET Mosfet Surface Mount - SOIC-8
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 27mΩ@6.8A,10V 45mΩ@5.8A,10V
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 2W 2.5W
FET类型 N+P-Channel -
封装/外壳 8-SO 8-SO
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id 6.8A,4.6A 5.8A,4.3A
系列 HEXFET® -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 2.3V @ 10µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 398pF @ 15V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 14nC @ 10V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.3V @ 10µA 1V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 398pF @ 15V 520pF @ 25V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 14nC @ 10V 25nC @ 10V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRF9389TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

8-SO

暂无价格 0 当前型号
AO4620 AOS  数据手册 功率MOSFET

SO-8

¥2.779 

阶梯数 价格
480: ¥2.779
1,000: ¥2.1867
1,500: ¥1.7101
3,000: ¥1.3339
0 对比
IRF7379TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

8-SO

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