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IRLR3110ZTRPBF  与  AOD4180  区别

型号 IRLR3110ZTRPBF AOD4180
唯样编号 A-IRLR3110ZTRPBF A-AOD4180
制造商 Infineon Technologies AOS
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Single N-Channel 100 V 16 mOhm 48 nC 140 W Surface Mount Mosfet - TO-252AA
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 14mΩ@38A,10V 14mΩ@20A,10V
漏源极电压Vds 100V 80V
Pd-功率耗散(Max) 140W(Tc) 54W
栅极电压Vgs ±16V ±25V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 D-Pak TO252
工作温度 -55°C~175°C(TJ) -55°C~175°C(TJ)
连续漏极电流Id 63A 54A
系列 HEXFET® AOD
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 100µA 4V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 3980pF @ 25V 2410pF @ 40V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 48nC @ 4.5V 38nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V 7V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 100µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 3980pF @ 25V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 48nC @ 4.5V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
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