首页 > 商品目录 > > > > IRLR3110ZTRPBF代替型号比较

IRLR3110ZTRPBF  与  IRLR3110ZTRLPBF  区别

型号 IRLR3110ZTRPBF IRLR3110ZTRLPBF
唯样编号 A-IRLR3110ZTRPBF A-IRLR3110ZTRLPBF
制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Single N-Channel 100 V 16 mOhm 48 nC 140 W Surface Mount Mosfet - TO-252AA Infineon HEXFET 系列 N沟道 MOSFET IRLR3110ZTRLPBF, 63 A, Vds=100 V, 3引脚 D2PAK (TO-263)封装
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 - 9.65mm
Rds On(Max)@Id,Vgs 14mΩ@38A,10V 16mΩ
引脚数目 - 3
最小栅阈值电压 - 1V
栅极电压Vgs ±16V -
电压,耦合至栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs - 4.5V
封装/外壳 D-Pak -
工作温度 -55°C~175°C(TJ) -55°C~175°C(TJ)
连续漏极电流Id 63A 63A
长度 - 10.67mm
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V 4.5V,10V
正向二极管电压 - 1.3V
每片芯片元件数目 - 1 Ohms
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 100µA 2.5V @ 100µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 3980pF @ 25V 3980pF
高度 - 4.83mm
类别 - 功率 MOSFET
典型关断延迟时间 - 33 ns
漏源极电压Vds 100V -
Pd-功率耗散(Max) 140W(Tc) 140W
FET类型 N-Channel -
系列 HEXFET® HEXFET
电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds - 25V
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 100µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 3980pF @ 25V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 48nC @ 4.5V -
典型接通延迟时间 - 24 ns
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 48nC @ 4.5V 48nC
正向跨导 - 52S
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
购买数量 点击询价 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRLR3110ZTRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

D-Pak

暂无价格 0 当前型号
AOD4180 AOS  数据手册 功率MOSFET

TO252

暂无价格 0 对比
DMTH10H015LK3-13 Diodes Incorporated  数据手册 MOSFET

TO-252-3

暂无价格 0 对比
IRLR3410TRLPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

D-Pak

暂无价格 0 对比
IRLR3410PBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

D-Pak

暂无价格 0 对比
IRLR3110ZTRLPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

10.67mm

暂无价格 0 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售