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IRLR3110ZTRPBF  与  DMTH10H015LK3-13  区别

型号 IRLR3110ZTRPBF DMTH10H015LK3-13
唯样编号 A-IRLR3110ZTRPBF A-DMTH10H015LK3-13
制造商 Infineon Technologies Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET MOSFET
描述 Single N-Channel 100 V 16 mOhm 48 nC 140 W Surface Mount Mosfet - TO-252AA MOSFET N-CH 100V 52.5A TO252
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 14mΩ@38A,10V -
漏源极电压Vds 100V 100V
Pd-功率耗散(Max) 140W(Tc) 2.1W(Ta)
RdsOn(Max)@Id,Vgs - 15mΩ@20A,10V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 1871 pF @ 50 V
栅极电压Vgs ±16V ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) - 33.3 nC @ 10 V
封装/外壳 D-Pak TO-252-3
工作温度 -55°C~175°C(TJ) -55℃~175℃(TJ)
连续漏极电流Id 63A 52.5A(Ta)
系列 HEXFET® -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 100µA -
驱动电压 - 6V,10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 3980pF @ 25V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 48nC @ 4.5V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 100µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 3980pF @ 25V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 48nC @ 4.5V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
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