首页 > 商品目录 > > > > R8002KND3TL1代替型号比较

R8002KND3TL1  与  FCD3400N80Z  区别

型号 R8002KND3TL1 FCD3400N80Z
唯样编号 A-R8002KND3TL1 A-FCD3400N80Z
制造商 ROHM Semiconductor ON Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 HIGH-SPEED SWITCHING NCH 800V 1.
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) 30W(Tc) -
技术 MOSFET(金属氧化物) -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 140 pF @ 100 V -
FET类型 N-Channel -
封装/外壳 TO-252 TO-252AA
不同Id时Vgs(th)(最大值) 4.5V @ 150uA -
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) 7.5 nC @ 10 V -
工作温度 150°C(TJ) -
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 4.2Ohm @ 800mA, 10V -
Vgs(最大值) ±20V -
25°C时电流-连续漏极(Id) 1.6A(Ta) -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 10V -
漏源电压(Vdss) 800 V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
购买数量 点击询价 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
R8002KND3TL1 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

TO-252

暂无价格 0 当前型号
IPD80R450P7 Infineon  数据手册 通用MOSFET

IPD80R450P7ATMA1_DPAK(TO-252)

暂无价格 0 对比
FCD3400N80Z ON Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

TO-252AA

暂无价格 0 对比
STD2N80K5 STMicro  数据手册 功率MOSFET

DPAK

暂无价格 0 对比
IPD80R4K5P7 Infineon  数据手册 通用MOSFET

IPD80R4K5P7ATMA1_DPAK(TO-252)

暂无价格 0 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售