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参数有误？
| 参数 | 参数值 | 操作 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 功率MOSFET | |
| 25°C时电流-连续漏极(Id) | 1.6A(Ta) | |
| FET类型 | N-Channel | |
| Vgs(最大值) | ±20V | |
| 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) | 4.2Ohm @ 800mA, 10V | |
| 不同Id时Vgs(th)(最大值) | 4.5V @ 150uA | |
| 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) | 140 pF @ 100 V | |
| 不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 7.5 nC @ 10 V | |
| 功率耗散(最大值) | 30W(Tc) | |
| 工作温度 | 150°C(TJ) | |
| 技术 | MOSFET(金属氧化物) | |
| 漏源电压(Vdss) | 800 V | |
| 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) | 10V | |
| 封装/外壳 | TO-252 |
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具有60V漏源电压（VDSS）和±15.5A连续漏极电流，适用开关、电机驱动器和直流/直流转换器
一款具有快速反向恢复时间 (trr) 的功率 MOSFET
高可靠性车规小信号MOSFET，适用于开关和低侧负载开关、继电器驱动器
低导通电阻，高功率，小尺寸封装
设计用于12V汽车应用，具有内置OCP、双TSD和有源钳位功能
| 制造商编号 | 最近销量(PCS) |
|---|---|
| LMP22D5N3T5G | 200,000 |
| PJA3441-AU_R1_000A1 | 33,000 |
| IPB200N25N3 G | 33,000 |
| PMPB215ENEAX | 18,000 |
| PJA3440-AU_R1_000A1 | 15,000 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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R8002KND3TL1 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-252 |
暂无价格 | 0 | 当前型号 |
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IPD80R450P7 | Infineon | 数据手册 | 通用MOSFET |
IPD80R450P7ATMA1_DPAK(TO-252) |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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FCD3400N80Z | ON Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-252AA |
暂无价格 | 0 | 对比 |
|
STD2N80K5 | STMicro | 数据手册 | 功率MOSFET |
DPAK |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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|
IPD80R4K5P7 | Infineon | 数据手册 | 通用MOSFET |
IPD80R4K5P7ATMA1_DPAK(TO-252) |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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