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R8002KND3TL1  与  IPD80R4K5P7  区别

型号 R8002KND3TL1 IPD80R4K5P7
唯样编号 A-R8002KND3TL1 A-IPD80R4K5P7
制造商 ROHM Semiconductor Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 通用MOSFET
描述 HIGH-SPEED SWITCHING NCH 800V 1.
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) 30W(Tc) -
Rds On(Max)@Id,Vgs - 4500mΩ
Rth - 9.4K/W
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 140 pF @ 100 V -
RthJA max - 62.0K/W
栅极电压Vgs - 2.5V,3.5V
封装/外壳 TO-252 DPAK (TO-252)
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) 7.5 nC @ 10 V -
工作温度 150°C(TJ) -55°C~150°C
连续漏极电流Id - 1.5A
Ptot max - 13.0W
QG - 4.0nC
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 4.2Ohm @ 800mA, 10V -
Vgs(最大值) ±20V -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 10V -
Budgetary Price €€/1k - 0.23
技术 MOSFET(金属氧化物) -
Moisture Level - 1 Ohms
漏源极电压Vds - 800V
FET类型 N-Channel N-Channel
Qgd - 1.8nC
Pin Count - 3.0Pins
Mounting - SMT
不同Id时Vgs(th)(最大值) 4.5V @ 150uA -
25°C时电流-连续漏极(Id) 1.6A(Ta) -
漏源电压(Vdss) 800 V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
R8002KND3TL1 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

TO-252

暂无价格 0 当前型号
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