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RF4E080GNTR  与  DMG4800LFG-7  区别

型号 RF4E080GNTR DMG4800LFG-7
唯样编号 A-RF4E080GNTR A-DMG4800LFG-7
制造商 ROHM Semiconductor Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET MOSFET
描述 MOSFET N-CH 30V 7.44A 8DFN
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 17.6mΩ -
上升时间 3.6ns -
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 2W 940mW(Ta)
Qg-栅极电荷 5.8nC -
RdsOn(Max)@Id,Vgs - 17mΩ@9A,10V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 798 pF @ 10 V
栅极电压Vgs 2.5V ±25V
典型关闭延迟时间 17.3ns -
正向跨导 - 最小值 5S -
FET类型 N-Channel N-Channel
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) - 9.47 nC @ 5 V
封装/外壳 DFN2020-8 U-DFN3030-8
连续漏极电流Id 8A 7.44A(Ta)
工作温度 -55°C~150°C -55℃~150℃(TJ)
系列 RF4E080GN -
通道数量 1Channel -
配置 Single -
驱动电压 - 4.5V,10V
下降时间 2.4ns -
典型接通延迟时间 6.9ns -
库存与单价
库存 100 0
工厂交货期 3 - 5天 56 - 70天
单价(含税)
1+ :  ¥4.7619
100+ :  ¥2.7524
1,500+ :  ¥1.745
3,000+ :  ¥1.2616
暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
RF4E080GNTR ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

DFN2020-8

¥4.7619 

阶梯数 价格
1: ¥4.7619
100: ¥2.7524
1,500: ¥1.745
3,000: ¥1.2616
100 当前型号
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¥0.4558 

阶梯数 价格
570: ¥0.4558
1,000: ¥0.3533
1,500: ¥0.2896
3,000: ¥0.2563
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¥1.7838 

阶梯数 价格
1,260: ¥1.7838
2,500: ¥1.4621
5,000: ¥1.3414
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¥1.4727 

阶梯数 价格
580: ¥1.4727
1,000: ¥1.1416
1,500: ¥0.9357
3,000: ¥0.843
0 对比

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