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RF4E080GNTR  与  SSM6K514NU,LF  区别

型号 RF4E080GNTR SSM6K514NU,LF
唯样编号 A-RF4E080GNTR A-SSM6K514NU,LF
制造商 ROHM Semiconductor Toshiba
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 通用MOSFET
描述 MOSFET N-CH 40V 12A 6UDFNB
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 17.6mΩ -
上升时间 3.6ns -
Qg-栅极电荷 5.8nC -
产品状态 - 在售
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 1110 pF @ 20 V
Vgs(th) - 2.4V @ 100uA
栅极电压Vgs 2.5V -
正向跨导 - 最小值 5S -
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) - 7.5 nC @ 4.5 V
封装/外壳 DFN2020-8 6-UDFNB(2x2)
连续漏极电流Id 8A 12A(Ta)
工作温度 -55°C~150°C 150°C
配置 Single -
Vgs(最大值) - ±20V
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 4.5V,10V
下降时间 2.4ns -
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 30V 40 V
Pd-功率耗散(Max) 2W 2.5W(Ta)
RdsOn(Max)@Id,Vgs - 11.6 毫欧 @ 4A,10V
典型关闭延迟时间 17.3ns -
FET类型 N-Channel N-Channel
系列 RF4E080GN -
通道数量 1Channel -
典型接通延迟时间 6.9ns -
库存与单价
库存 100 0
工厂交货期 3 - 5天 56 - 70天
单价(含税)
1+ :  ¥4.7619
100+ :  ¥2.7524
1,500+ :  ¥1.745
3,000+ :  ¥1.2616
暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
RF4E080GNTR ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

DFN2020-8

¥4.7619 

阶梯数 价格
1: ¥4.7619
100: ¥2.7524
1,500: ¥1.745
3,000: ¥1.2616
100 当前型号
PMEG4010CEAX Nexperia  数据手册 肖特基(SBD)二极管

PMEG4010CEA_SOD-323

¥0.4558 

阶梯数 价格
570: ¥0.4558
1,000: ¥0.3533
1,500: ¥0.2896
3,000: ¥0.2563
2 对比
SSM6K514NU,LF Toshiba  数据手册 通用MOSFET

6-UDFNB(2x2)

暂无价格 0 对比
74LVCH2T45GT,115 Nexperia  数据手册 变换器/转换器

74LVCH2T45GT_SOT833

¥1.7838 

阶梯数 价格
1,260: ¥1.7838
2,500: ¥1.4621
5,000: ¥1.3414
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¥1.4727 

阶梯数 价格
580: ¥1.4727
1,000: ¥1.1416
1,500: ¥0.9357
3,000: ¥0.843
0 对比

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