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RQ3E120BNTB  与  AON7752  区别

型号 RQ3E120BNTB AON7752
唯样编号 A-RQ3E120BNTB A-AON7752
制造商 ROHM Semiconductor AOS
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Crss(pF) - 36.5
Rds On(Max)@Id,Vgs 9.3mΩ@12A,10V 8.2mΩ@10V
上升时间 30ns -
ESD Diode - No
Rds On(Max)@4.5V - 14.5mΩ
Qg-栅极电荷 29nC -
Qgd(nC) - 2.6
栅极电压Vgs ±20V 20V
Td(on)(ns) - 5
封装/外壳 8-PowerVDFN DFN 3x3 EP
连续漏极电流Id 12A 16A
Ciss(pF) - 605
下降时间 12ns -
Schottky Diode - Yes
Trr(ns) - 11.5
Td(off)(ns) - 17
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 2W 20W
Qrr(nC) - 12.5
VGS(th) - 2.5
典型关闭延迟时间 46ns -
FET类型 N-Channel N-Channel
典型接通延迟时间 9ns -
Coss(pF) - 275
Qg*(nC) - 5.5
库存与单价
库存 0 4,722
工厂交货期 56 - 70天 3 - 5天
单价(含税) 暂无价格
1+ :  ¥1.2821
100+ :  ¥1.0204
1,000+ :  ¥0.7353
2,500+ :  ¥0.6329
5,000+ :  ¥0.5
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
RQ3E120BNTB ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

8-PowerVDFN

暂无价格 0 当前型号
AON7752 AOS  数据手册 功率MOSFET

DFN3x3EP

¥1.2821 

阶梯数 价格
1: ¥1.2821
100: ¥1.0204
1,000: ¥0.7353
2,500: ¥0.6329
5,000: ¥0.5
4,722 对比
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DFN5x6

¥1.2051 

阶梯数 价格
1: ¥1.2051
100: ¥0.9592
1,000: ¥0.6912
1,500: ¥0.5949
3,000: ¥0.47
502 对比
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