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RQ3E120BNTB  与  NTTFS4929NTAG  区别

型号 RQ3E120BNTB NTTFS4929NTAG
唯样编号 A-RQ3E120BNTB A-NTTFS4929NTAG
制造商 ROHM Semiconductor ON Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 9.3mΩ@12A,10V -
上升时间 30ns -
漏源极电压Vds 30V -
Pd-功率耗散(Max) 2W -
Qg-栅极电荷 29nC -
栅极电压Vgs ±20V -
典型关闭延迟时间 46ns -
FET类型 N-Channel -
封装/外壳 8-PowerVDFN 8-WDFN(3.3x3.3)
连续漏极电流Id 12A -
下降时间 12ns -
典型接通延迟时间 9ns -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
RQ3E120BNTB ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

8-PowerVDFN

暂无价格 0 当前型号
AON7752 AOS  数据手册 功率MOSFET

DFN3x3EP

¥1.2821 

阶梯数 价格
1: ¥1.2821
100: ¥1.0204
1,000: ¥0.7353
2,500: ¥0.6329
5,000: ¥0.5
4,722 对比
AON6414A AOS  数据手册 功率MOSFET

DFN5x6

¥1.2051 

阶梯数 价格
1: ¥1.2051
100: ¥0.9592
1,000: ¥0.6912
1,500: ¥0.5949
3,000: ¥0.47
502 对比
DMG7430LFG-7 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

PowerDI

暂无价格 0 对比
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8-WDFN(3.3x3.3)

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