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RQ3E120BNTB  与  DMG7430LFG-7  区别

型号 RQ3E120BNTB DMG7430LFG-7
唯样编号 A-RQ3E120BNTB A-DMG7430LFG-7
制造商 ROHM Semiconductor Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 9.3mΩ@12A,10V 11mΩ
上升时间 30ns 21.2ns
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 2W 2.2W
Qg-栅极电荷 29nC 26.7nC
栅极电压Vgs ±20V 2.5V
典型关闭延迟时间 46ns 22.3ns
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 8-PowerVDFN PowerDI
连续漏极电流Id 12A 10.5A
工作温度 - -55°C~150°C(TJ)
系列 - DMG7430
通道数量 - 1Channel
配置 - SingleTripleSourceQuadDrain
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 2.5V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 1281pF @ 15V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 26.7nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 4.5V,10V
下降时间 12ns 5.1ns
典型接通延迟时间 9ns 5.2ns
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
RQ3E120BNTB ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

8-PowerVDFN

暂无价格 0 当前型号
AON7752 AOS  数据手册 功率MOSFET

DFN3x3EP

¥1.2821 

阶梯数 价格
1: ¥1.2821
100: ¥1.0204
1,000: ¥0.7353
2,500: ¥0.6329
5,000: ¥0.5
4,722 对比
AON6414A AOS  数据手册 功率MOSFET

DFN5x6

¥1.2051 

阶梯数 价格
1: ¥1.2051
100: ¥0.9592
1,000: ¥0.6912
1,500: ¥0.5949
3,000: ¥0.47
502 对比
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