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RS3E075ATTB  与  IRF7416PBF  区别

型号 RS3E075ATTB IRF7416PBF
唯样编号 A-RS3E075ATTB A-IRF7416PBF
制造商 ROHM Semiconductor Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 23.5mΩ@7.5A,10V 20mΩ@5.6A,10V
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 2W(Ta) 2.5W(Ta)
栅极电压Vgs ±20V ±20V
FET类型 P-Channel P-Channel
封装/外壳 8-SOIC 8-SO
工作温度 150°C(TJ) -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id - 10A
系列 - HEXFET®
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 1V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 1700pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 92nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V 4.5V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 1mA 1V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1250pF @ 15V 1700pF @ 25V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 25nC @ 10V 92nC @ 10V
库存与单价
库存 20 0
工厂交货期 3 - 5天 56 - 70天
单价(含税)
1+ :  ¥6.787
100+ :  ¥3.8482
1,250+ :  ¥2.4398
2,500+ :  ¥1.8176
暂无价格
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