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RS3E075ATTB  与  IRF9392TRPBF  区别

型号 RS3E075ATTB IRF9392TRPBF
唯样编号 A-RS3E075ATTB A-IRF9392TRPBF
制造商 ROHM Semiconductor Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Infineon HEXFET 系列 P沟道 MOSFET IRF9392TRPBF, 9.8 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 - 4mm
Rds On(Max)@Id,Vgs 23.5mΩ@7.5A,10V 17.5mΩ
引脚数目 - 8
最小栅阈值电压 - 1.3V
栅极电压Vgs ±20V -
电压,耦合至栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs - 4.5V
封装/外壳 8-SOIC -
工作温度 150°C(TJ) -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id - 9.8A
长度 - 5mm
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V 10V,20V
每片芯片元件数目 - 1 Ohms
正向二极管电压 - 1.2V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 1mA 2.4V @ 25µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1250pF @ 15V 1270pF
高度 - 1.50mm
类别 - 功率 MOSFET
典型关断延迟时间 - 73 ns
漏源极电压Vds 30V -
Pd-功率耗散(Max) 2W(Ta) 2.5W
FET类型 P-Channel -
电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds - 25V
系列 - HEXFET
典型接通延迟时间 - 15 ns
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 25nC @ 10V 14nC
正向跨导 - 36S
库存与单价
库存 20 0
工厂交货期 3 - 5天 56 - 70天
单价(含税)
1+ :  ¥6.787
100+ :  ¥3.8482
1,250+ :  ¥2.4398
2,500+ :  ¥1.8176
暂无价格
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