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RS3E075ATTB  与  TPC8129,LQ(S  区别

型号 RS3E075ATTB TPC8129,LQ(S
唯样编号 A-RS3E075ATTB A-TPC8129,LQ(S
制造商 ROHM Semiconductor Toshiba
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 通用MOSFET
描述 MOSFET P-CH 30V 9A 8SOP
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 23.5mΩ@7.5A,10V -
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 30V 30 V
Pd-功率耗散(Max) 2W(Ta) 1W(Ta)
产品状态 - 在售
RdsOn(Max)@Id,Vgs - 22 毫欧 @ 4.5A,10V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 1650 pF @ 10 V
Vgs(th) - 2V @ 200uA
栅极电压Vgs ±20V -
FET类型 P-Channel P-Channel
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) - 39 nC @ 10 V
封装/外壳 8-SOIC 8-SOP
工作温度 150°C(TJ) 150°C(TJ)
连续漏极电流Id - 9A(Ta)
Vgs(最大值) - +20V,-25V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 4.5V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 1mA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1250pF @ 15V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 25nC @ 10V -
库存与单价
库存 20 0
工厂交货期 3 - 5天 56 - 70天
单价(含税)
1+ :  ¥6.787
100+ :  ¥3.8482
1,250+ :  ¥2.4398
2,500+ :  ¥1.8176
暂无价格
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