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SH8KA2GZETB  与  IRF7313PBF  区别

型号 SH8KA2GZETB IRF7313PBF
唯样编号 A-SH8KA2GZETB A-IRF7313PBF
制造商 ROHM Semiconductor Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Dual N-Channel 30 V 2 W 22 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - SOIC-8
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
封装/外壳 8-SOP 8-SO
连续漏极电流Id 8A 6.5A
工作温度 150°C(TJ) -55°C~150°C(TJ)
Rds On(Max)@Id,Vgs 28mΩ@8A,10V 29mΩ@5.8A,10V
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 2.8W 2W
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 1mA 1V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 330pF @ 15V 650pF @ 25V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 8nC @ 10V 33nC @ 10V
FET类型 2N-Channel N-Channel
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
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