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SH8KA2GZETB  与  AO4812_101  区别

型号 SH8KA2GZETB AO4812_101
唯样编号 A-SH8KA2GZETB A-AO4812_101
制造商 ROHM Semiconductor AOS
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
封装/外壳 8-SOP 8-SO
连续漏极电流Id 8A 6A
工作温度 150°C(TJ) -55°C ~ 150°C(TJ)
Rds On(Max)@Id,Vgs 28mΩ@8A,10V 30 mΩ @ 6A,10V
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 2.8W 2W
栅极电荷Qg - 6.3nC @ 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 1mA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 330pF @ 15V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 8nC @ 10V -
FET类型 2N-Channel 2N-Channel
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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