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SH8KA2GZETB  与  ZXMN3G32DN8TA  区别

型号 SH8KA2GZETB ZXMN3G32DN8TA
唯样编号 A-SH8KA2GZETB A-ZXMN3G32DN8TA
制造商 ROHM Semiconductor Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET MOSFET
描述 MOSFET 2N-CH 30V 5.5A 8SOIC
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 28mΩ@8A,10V -
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 2.8W 1.8W
RdsOn(Max)@Id,Vgs - 28mΩ@6A,10V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 472pF @ 15V
FET类型 2N-Channel 2N-Channel
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) - 10.5nC @ 10V
封装/外壳 8-SOP 8-SO
连续漏极电流Id 8A 5.5A
工作温度 150°C(TJ) -55℃~150℃(TJ)
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 1mA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 330pF @ 15V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 8nC @ 10V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
SH8KA2GZETB ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

8-SOP

暂无价格 0 当前型号
IRF7313PBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

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