首页 > 商品目录 > > > > SPD18P06PGBTMA1代替型号比较

SPD18P06PGBTMA1  与  DMP6180SK3-13  区别

型号 SPD18P06PGBTMA1 DMP6180SK3-13
唯样编号 A-SPD18P06PGBTMA1 A-DMP6180SK3-13
制造商 Infineon Technologies Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET P-CH 60V 18.6A TO252-3 P-Channel 60 V 110 mO Surface Mount Enhancement Mode Mosfet -TO-252-3 (DPAK)
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) 80W(Tc) -
技术 MOSFET(金属氧化物) -
Rds On(Max)@Id,Vgs - 110mΩ@12A,10V
漏源极电压Vds - 60V
Pd-功率耗散(Max) - 1.7W(Ta)
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 860pF @ 25V -
栅极电压Vgs - ±20V
FET类型 P 通道 P-Channel
封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 DPAK
不同Id时Vgs(th)(最大值) 4V @ 1mA -
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) 33nC @ 10V -
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ) -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id - 14A
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 2.7V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 984.7pF @ 30V
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 130 毫欧 @ 13.2A,10V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 17.1nC @ 10V
Vgs(最大值) ±20V -
25°C时电流-连续漏极(Id) 18.6A(Tc) -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 4.5V,10V
漏源电压(Vdss) 60V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
购买数量 点击询价 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
SPD18P06PGBTMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

SPD18P06P G_TO-252-3,DPak(2引线+接片),SC-63

暂无价格 0 当前型号
AOD407 AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-252

¥5.64 

阶梯数 价格
1: ¥5.64
100: ¥4.1778
1,000: ¥3.1333
2,500: ¥2.256
2,493 对比
DMP6180SK3-13 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

DPAK

暂无价格 0 对比
IRFR5505 Infineon  数据手册 功率MOSFET

DPAK

暂无价格 0 对比
TJ8S06M3L(T6L1,NQ) Toshiba  数据手册 通用MOSFET

DPAK+

暂无价格 0 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售