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SPD18P06PGBTMA1  与  TJ8S06M3L(T6L1,NQ)  区别

型号 SPD18P06PGBTMA1 TJ8S06M3L(T6L1,NQ)
唯样编号 A-SPD18P06PGBTMA1 A-TJ8S06M3L(T6L1,NQ)
制造商 Infineon Technologies Toshiba
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 通用MOSFET
描述 MOSFET P-CH 60V 18.6A TO252-3 MOSFET P-CH 60V 8A DPAK
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) 80W(Tc) -
技术 MOSFET(金属氧化物) MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds - 60 V
Pd-功率耗散(Max) - 27W(Tc)
产品状态 - 在售
RdsOn(Max)@Id,Vgs - 104 毫欧 @ 4A,10V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 860pF @ 25V 890 pF @ 10 V
Vgs(th) - 3V @ 1mA
FET类型 P 通道 P-Channel
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) - 19 nC @ 10 V
封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 DPAK+
不同Id时Vgs(th)(最大值) 4V @ 1mA -
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) 33nC @ 10V -
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ) 175°C(TJ)
连续漏极电流Id - 8A(Ta)
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 130 毫欧 @ 13.2A,10V -
Vgs(最大值) ±20V +10V,-20V
25°C时电流-连续漏极(Id) 18.6A(Tc) -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 10V 6V,10V
漏源电压(Vdss) 60V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
SPD18P06PGBTMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

SPD18P06P G_TO-252-3,DPak(2引线+接片),SC-63

暂无价格 0 当前型号
AOD407 AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-252

¥5.64 

阶梯数 价格
1: ¥5.64
100: ¥4.1778
1,000: ¥3.1333
2,500: ¥2.256
2,493 对比
DMP6180SK3-13 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

DPAK

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TJ8S06M3L(T6L1,NQ) Toshiba  数据手册 通用MOSFET

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