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SPD18P06PGBTMA1  与  IRFR5505  区别

型号 SPD18P06PGBTMA1 IRFR5505
唯样编号 A-SPD18P06PGBTMA1 A-IRFR5505
制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET P-CH 60V 18.6A TO252-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) 80W(Tc) -
技术 MOSFET(金属氧化物) -
Rds On(Max)@Id,Vgs - 110mΩ@9.6A,10V
漏源极电压Vds - 55V
Pd-功率耗散(Max) - 57W(Tc)
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 860pF @ 25V -
栅极电压Vgs - ±20V
FET类型 P 通道 P-Channel
封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 DPAK
不同Id时Vgs(th)(最大值) 4V @ 1mA -
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) 33nC @ 10V -
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ) -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id - 18A(Tc)
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 130 毫欧 @ 13.2A,10V -
Vgs(最大值) ±20V -
25°C时电流-连续漏极(Id) 18.6A(Tc) -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 10V
漏源电压(Vdss) 60V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 4V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 650pF @ 25V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 32nC @ 10V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
SPD18P06PGBTMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

SPD18P06P G_TO-252-3,DPak(2引线+接片),SC-63

暂无价格 0 当前型号
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阶梯数 价格
1: ¥5.64
100: ¥4.1778
1,000: ¥3.1333
2,500: ¥2.256
2,493 对比
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