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DMN3033LDM-7  与  RTQ020N03TR  区别

型号 DMN3033LDM-7 RTQ020N03TR
唯样编号 A3-DMN3033LDM-7 A3-RTQ020N03TR
制造商 Diodes Incorporated ROHM Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 N-Channel 30 V 33 mOhm Surface Mount Enhancement Mode Mosfet - SOT-26-6
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 33mΩ@6.9A,10V 125mΩ@2A,4.5V
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 2W(Ta) 1.25W(Ta)
栅极电压Vgs ±20V 12V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 SOT-26 SOT-23-6,TSOT-23-6
工作温度 -55°C~150°C(TJ) 150°C(TJ)
连续漏极电流Id 6.9A 2A(Ta)
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 2.1V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 755pF @ 10V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 13nC @ 10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V 2.5V,4.5V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 135pF @ 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 1.5V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 3.3nC @ 4.5V
库存与单价
库存 21,000 100
工厂交货期 3 - 15天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
DMN3033LDM-7 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

SOT-26

暂无价格 21,000 当前型号
STT6N3LLH6 STMicro  数据手册 通用MOSFET

SOT

暂无价格 3,000 对比
RTQ020N03TR ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

SOT-23-6,TSOT-23-6

¥4.6253 

阶梯数 价格
1: ¥4.6253
100: ¥2.6225
1,500: ¥1.6627
3,000: ¥1.2387
100 对比
RTQ020N03TR ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

SOT-23-6,TSOT-23-6

暂无价格 100 对比
RSQ020N03TR ROHM Semiconductor  数据手册 小信号MOSFET

SOT-23-6,TSOT-23-6

¥5.3794 

阶梯数 价格
1: ¥5.3794
100: ¥3.0502
1,500: ¥1.9338
3,000: ¥1.4407
100 对比
RSQ020N03TR ROHM Semiconductor  数据手册 小信号MOSFET

SOT-23-6,TSOT-23-6

暂无价格 100 对比

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