首页 > 商品目录 > > > > DMN3033LDM-7代替型号比较

DMN3033LDM-7  与  STT6N3LLH6  区别

型号 DMN3033LDM-7 STT6N3LLH6
唯样编号 A3-DMN3033LDM-7 A3-STT6N3LLH6
制造商 Diodes Incorporated STMicroelectronics
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 通用MOSFET
描述 N-Channel 30 V 33 mOhm Surface Mount Enhancement Mode Mosfet - SOT-26-6 MOSFET N-CH 30V 6A SOT23-6
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 33mΩ@6.9A,10V -
漏源极电压Vds 30V -
Pd-功率耗散(Max) 2W(Ta) -
栅极电压Vgs ±20V -
FET类型 N-Channel -
封装/外壳 SOT-26 SOT
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -
连续漏极电流Id 6.9A -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 2.1V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 755pF @ 10V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 13nC @ 10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V -
库存与单价
库存 21,000 3,000
工厂交货期 3 - 15天 5 - 7天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
购买数量 点击询价 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
DMN3033LDM-7 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

SOT-26

暂无价格 21,000 当前型号
STT6N3LLH6 STMicro  数据手册 通用MOSFET

SOT

暂无价格 3,000 对比
RTQ020N03TR ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

SOT-23-6,TSOT-23-6

¥4.6253 

阶梯数 价格
1: ¥4.6253
100: ¥2.6225
1,500: ¥1.6627
3,000: ¥1.2387
100 对比
RTQ020N03TR ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

SOT-23-6,TSOT-23-6

暂无价格 100 对比
RSQ020N03TR ROHM Semiconductor  数据手册 小信号MOSFET

SOT-23-6,TSOT-23-6

¥5.3794 

阶梯数 价格
1: ¥5.3794
100: ¥3.0502
1,500: ¥1.9338
3,000: ¥1.4407
100 对比
RSQ020N03TR ROHM Semiconductor  数据手册 小信号MOSFET

SOT-23-6,TSOT-23-6

暂无价格 100 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售