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DMN6068LK3-13  与  IRLR024NTRPBF  区别

型号 DMN6068LK3-13 IRLR024NTRPBF
唯样编号 A3-DMN6068LK3-13 A-IRLR024NTRPBF
制造商 Diodes Incorporated Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 N-Channel 60 V 68 mOhm Surface Mount Enhancement Mode Mosfet - TO252-3L Single N-Channel 55 V 45 W 15 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - TO-252AA
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 68mΩ 65mΩ@10A,10V
上升时间 10.8ns -
Qg-栅极电荷 10.3nC -
栅极电压Vgs 1V ±16V
正向跨导 - 最小值 19.7S -
封装/外壳 DPAK D-Pak
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C~175°C(TJ)
连续漏极电流Id 8.5A 17A
配置 Single -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V 4V,10V
下降时间 8.7ns -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 2V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 480pF @ 25V
漏源极电压Vds 60V 55V
Pd-功率耗散(Max) 8.49W 45W(Tc)
典型关闭延迟时间 11.9ns -
FET类型 - N-Channel
系列 DMN6068 HEXFET®
通道数量 1Channel -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 3V @ 250µA 2V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 502pF @ 30V 480pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 10.3nC @ 10V 15nC @ 5V
典型接通延迟时间 3.6ns -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 15nC @ 5V
库存与单价
库存 0 2,000
工厂交货期 56 - 70天 3 - 5天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
DMN6068LK3-13 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

DPAK

暂无价格 0 当前型号
STD16NF06T4 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-252-3

暂无价格 30,000 对比
STD12NF06LT4 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-252-3

暂无价格 5,000 对比
IRLR024NTRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

D-Pak

暂无价格 2,000 对比
STD12NF06LT4 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-252-3

暂无价格 0 对比
BUK9222-55A,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

BUK9222-55A_SOT428

¥10.511 

阶梯数 价格
400: ¥10.511
1,000: ¥7.786
1,250: ¥6.0828
2,500: ¥4.9859
0 对比

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