RS6P060BHTB1 与 FDS3672 区别
| 型号 | RS6P060BHTB1 | FDS3672 | ||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A33-RS6P060BHTB1-1 | A36-FDS3672 | ||||||||||||||||||||
| 制造商 | ROHM Semiconductor | ON Semiconductor | ||||||||||||||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||||||||||||||
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET | ||||||||||||||||||||
| 描述 | Nch 100V 60A, HSOP8, Power MOSFET | N-Channel 100 V 22 mOhm Surface Mount PowerTrench Mosfet - SOIC-8 | ||||||||||||||||||||
| 数据表 | ||||||||||||||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||||||||||||||
| 规格信息 | ||||||||||||||||||||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 10.6mΩ@60A,10V | 23mΩ@7.5A,10V | ||||||||||||||||||||
| 漏源极电压Vds | 100V | 100V | ||||||||||||||||||||
| Pd-功率耗散(Max) | 73W | 2.5W(Ta) | ||||||||||||||||||||
| 栅极电压Vgs | ±20V | ±20V | ||||||||||||||||||||
| FET类型 | N-Channel | N-Channel | ||||||||||||||||||||
| 封装/外壳 | HSOP8 (Single) | 8-SOIC | ||||||||||||||||||||
| 工作温度 | -55°C~150°C | -55°C~150°C(TJ) | ||||||||||||||||||||
| 连续漏极电流Id | 60A | 7.5A | ||||||||||||||||||||
| 系列 | - | PowerTrench® | ||||||||||||||||||||
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | - | 4V @ 250µA | ||||||||||||||||||||
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 2015pF @ 25V | ||||||||||||||||||||
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 37nC @ 10V | ||||||||||||||||||||
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | - | 6V,10V | ||||||||||||||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||||||||||||||
| 库存 | 2,469 | 1,812 | ||||||||||||||||||||
| 工厂交货期 | 21 - 28天 | 3 - 15天 | ||||||||||||||||||||
| 单价（含税） |
|
|
||||||||||||||||||||
| 购买数量 | ||||||||||||||||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
RS6P060BHTB1 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
HSOP8 (Single) N-Channel 73W 10.6mΩ@60A,10V -55°C~150°C ±20V 100V 60A |
￥13.6358
|
2,469 | 当前型号 | ||||||||||||||||
|
BSC098N10NS5ATMA1 | Infineon | 数据手册 | 通用MOSFET |
N 通道 -55°C~150°C(TJ) TDSON-8 |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||||||||
|
BSC098N10NS5 | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
100V 60A 9.8mΩ@30A,10V ±20V 69W N-Channel -55°C~150°C PG-TDSON-8-7 |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||||||||
|
SI4058DY-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
10.3A(Tc) N-Channel 26 mOhms @ 10A,10V 5.6W(Tc) 8-SOIC -55°C~150°C 100V |
￥2.805
|
6,459 | 对比 | ||||||||||||||||
|
SIR606BDP-T1-RE3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
10.9A(Ta),38.7A(Tc) N-Channel 17.4 mOhms @ 10A,10V 5W(Ta),62.5W(Tc) PowerPAK® SO-8 -55°C~150°C 100V |
￥7.04
|
3,000 | 对比 | ||||||||||||||||
|
FDS3672 | ON Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
7.5A(Ta) ±20V 2.5W(Ta) 23mΩ@7.5A,10V -55°C~150°C(TJ) 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) SOIC N-Channel 100V 7.5A 8-SOIC |
￥4.807
|
1,812 | 对比 |
闽公网安备 35021102001214号 闽ICP备17005748号-1 增值电信业务经营许可证：闽B2-20200838
