CSD17310Q5A 与 RS1E180BNTB 区别
| 型号 | CSD17310Q5A | RS1E180BNTB | ||||||||||||||||
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| 唯样编号 | A36-CSD17310Q5A | A33-RS1E180BNTB | ||||||||||||||||
| 制造商 | TI | ROHM Semiconductor | ||||||||||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||||||||||
| 分类 | 功率MOSFET | 通用MOSFET | ||||||||||||||||
| 描述 | MOSFET N-CHANNEL 30V 60A 8-HSOP | |||||||||||||||||
| 数据表 | ||||||||||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||||||||||
| 规格信息 | ||||||||||||||||||
| 功率 | 3.1W(Ta) | - | ||||||||||||||||
| 漏源极电压Vds | 30V | - | ||||||||||||||||
| 栅极电压Vgs | +10V,-8V | - | ||||||||||||||||
| FET类型 | N-Channel | - | ||||||||||||||||
| 封装/外壳 | 8-PowerTDFN | HSOP8 (SINGLE | ||||||||||||||||
| 连续漏极电流Id | 21A(Ta),100A(Tc) | - | ||||||||||||||||
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | - | ||||||||||||||||
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 3V,8V | - | ||||||||||||||||
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 1.8V @ 250µA | - | ||||||||||||||||
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 1560pF @ 15V | - | ||||||||||||||||
| 导通电阻Rds(On) | 5.1 毫欧 @ 20A,8V | - | ||||||||||||||||
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 11.6nC @ 4.5V | - | ||||||||||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||||||||||
| 库存 | 887 | 1,500 | ||||||||||||||||
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 28 - 35天 | ||||||||||||||||
| 单价（含税） |
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| 购买数量 | ||||||||||||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||||
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CSD17310Q5A | TI | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 30V 21A(Ta),100A(Tc) +10V,-8V 5.1 毫欧 @ 20A,8V -55°C~150°C(TJ) 8-PowerTDFN |
￥3.672
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887 | 当前型号 | ||||||||||||||
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RS1E180BNTB | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
HSOP8 (SINGLE |
￥6.3422
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2,600 | 对比 | ||||||||||||||
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RS1E180BNTB | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
HSOP8 (SINGLE |
￥4.1876
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1,500 | 对比 | ||||||||||||||
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RS1E180BNTB | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
HSOP8 (SINGLE |
暂无价格 | 80 | 对比 | ||||||||||||||
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IRFH5304TRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V -55°C~150°C(TJ) 3.6W(Ta),46W(Tc) 4.5mΩ@47A,10V N-Channel 30V 22A 8-PQFN(5x6) |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||||||
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BSC0906NS | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
30V 63A 4.5mΩ 10V 30W N-Channel -55°C~150°C PG-TDSON-8 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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