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NTD3055L104G  与  SUD23N06-31-GE3  区别

型号 NTD3055L104G SUD23N06-31-GE3
唯样编号 A3t-NTD3055L104G A3-SUD23N06-31-GE3
制造商 ON Semiconductor Vishay
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 未分类 通用MOSFET
描述 Single N-Channel 60 V 0.031 Ohms Surface Mount Power Mosfet - TO-252
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率 1.5W(Ta),48W(Tj) -
Rds On(Max)@Id,Vgs 104 毫欧 @ 6A,5V 31 mOhms @ 15A,10V
漏源极电压Vds 60V 60V
Pd-功率耗散(Max) - 5.7W(Ta),31.25W(Tc)
Vgs(th) - 3V @ 250uA
栅极电压Vgs ±15V -
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 TO-252
连续漏极电流Id 12A(Ta) 21.4A(Tc)
工作温度 -55°C~175°C(TJ) -55°C~150°C
Vgs(最大值) - ±20V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 5V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 440pF @ 25V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 20nC @ 5V -
库存与单价
库存 0 4,000
工厂交货期 56 - 70天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
NTD3055L104G ON Semiconductor 未分类

暂无价格 0 当前型号
SUD23N06-31-GE3 Vishay  数据手册 通用MOSFET

21.4A(Tc) N-Channel 31 mOhms @ 15A,10V 5.7W(Ta),31.25W(Tc) TO-252 -55°C~150°C 60V

暂无价格 4,000 对比
MBRB1545CT-E3/45 Vishay  数据手册 SBD肖特基二极管

100uA @ 45V 45V TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB 840mV @ 7.5A

暂无价格 0 对比
SIHLR024TR-GE3 Vishay 未分类

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SIHFR024-GE3 Vishay 未分类

暂无价格 0 对比
SUD23N06-31-GE3 Vishay  数据手册 通用MOSFET

21.4A(Tc) N-Channel 31 mOhms @ 15A,10V 5.7W(Ta),31.25W(Tc) TO-252 -55°C~150°C 60V

暂无价格 0 对比

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