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NTD3055L104G  与  MBRB1545CT-E3/45  区别

型号 NTD3055L104G MBRB1545CT-E3/45
唯样编号 A3t-NTD3055L104G A3t-MBRB1545CT-E3/45
制造商 ON Semiconductor Vishay
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 未分类 SBD肖特基二极管
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
二极管配置 - 1 对共阴极
功率 1.5W(Ta),48W(Tj) -
反向电压Vr - 45V
Rds On(Max)@Id,Vgs 104 毫欧 @ 6A,5V -
漏源极电压Vds 60V -
栅极电压Vgs ±15V -
FET类型 N-Channel -
封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
反向漏电流Ir - 100uA @ 45V
连续漏极电流Id 12A(Ta) -
工作温度 -55°C~175°C(TJ) -
正向电压Vf - 840mV @ 7.5A
二极管类型 - 肖特基
电流-平均整流(Io)(每二极管) - 7.5A
速度 - 快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 5V -
工作温度-结 - -65°C ~ 150°C
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 440pF @ 25V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 20nC @ 5V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
NTD3055L104G ON Semiconductor 未分类

暂无价格 0 当前型号
SUD23N06-31-GE3 Vishay  数据手册 通用MOSFET

21.4A(Tc) N-Channel 31 mOhms @ 15A,10V 5.7W(Ta),31.25W(Tc) TO-252 -55°C~150°C 60V

暂无价格 4,000 对比
MBRB1545CT-E3/45 Vishay  数据手册 SBD肖特基二极管

100uA @ 45V 45V TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB 840mV @ 7.5A

暂无价格 0 对比
SIHLR024TR-GE3 Vishay 未分类

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SIHFR024-GE3 Vishay 未分类

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SUD23N06-31-GE3 Vishay  数据手册 通用MOSFET

21.4A(Tc) N-Channel 31 mOhms @ 15A,10V 5.7W(Ta),31.25W(Tc) TO-252 -55°C~150°C 60V

暂无价格 0 对比

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