NTD3055L104G 与 SIHLR024TR-GE3 区别
| 型号 | NTD3055L104G | SIHLR024TR-GE3 |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A3t-NTD3055L104G | A3t-SIHLR024TR-GE3 |
| 制造商 | ON Semiconductor | Vishay |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 未分类 | 未分类 |
| 描述 | Vishay Si N沟道 MOSFET SIHLR024TR-GE3, 14 A, Vds=60 V, 3引脚 DPAK (TO-252)封装 | |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 功率 | 1.5W(Ta),48W(Tj) | 42W |
| 宽度 | - | 6.22mm |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 104 毫欧 @ 6A,5V | 140 m0hms |
| 引脚数目 | - | 3 |
| 最小栅阈值电压 | - | 1V |
| 栅极电压Vgs | ±15V | -10 V、+10 V |
| 封装/外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 | 6.73*6.22*2.38mm |
| 连续漏极电流Id | 12A(Ta) | 14 A |
| 工作温度 | -55°C~175°C(TJ) | - |
| 长度 | - | 6.73mm |
| 最低工作温度 | - | -55 °C |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 5V | - |
| 每片芯片元件数目 | - | 1 Ohms |
| 最高工作温度 | - | +150 °C |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 2V @ 250µA | - |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 440pF @ 25V | - |
| 高度 | - | 2.38mm |
| 类别 | - | 功率 MOSFET |
| 典型关断延迟时间 | - | 23 ns |
| 漏源极电压Vds | 60V | 870 pF@ 25 V |
| 晶体管材料 | - | Si |
| 晶体管配置 | - | 单 |
| FET类型 | N-Channel | 增强 |
| 典型接通延迟时间 | - | 11 ns |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 20nC @ 5V | - |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
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NTD3055L104G | ON Semiconductor | 未分类 | 暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||
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SUD23N06-31-GE3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
21.4A(Tc) N-Channel 31 mOhms @ 15A,10V 5.7W(Ta),31.25W(Tc) TO-252 -55°C~150°C 60V |
暂无价格 | 4,000 | 对比 |
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MBRB1545CT-E3/45 | Vishay | 数据手册 | SBD肖特基二极管 |
100uA @ 45V 45V TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB 840mV @ 7.5A |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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SIHLR024TR-GE3 | Vishay | 未分类 | 暂无价格 | 0 | 对比 | ||
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SIHFR024-GE3 | Vishay | 未分类 | 暂无价格 | 0 | 对比 | ||
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SUD23N06-31-GE3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
21.4A(Tc) N-Channel 31 mOhms @ 15A,10V 5.7W(Ta),31.25W(Tc) TO-252 -55°C~150°C 60V |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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