尊敬的客户:清明节4月4日-6日我司放假,放假期间网站可自助下单,节后将按订单先后顺序安排,给您带来的不便,敬请谅解!
首页 > 商品目录 > > > SIHFL014-GE3代替型号比较

SIHFL014-GE3  与  NDT3055  区别

型号 SIHFL014-GE3 NDT3055
唯样编号 A3t-SIHFL014-GE3 A3-NDT3055
制造商 Vishay ON Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 未分类 通用MOSFET
描述 N-Channel 60 V 0.1 O SMT Enhancement Mode Field Effect Transistor SOT-223
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率 - 3W
宽度 - 3.7mm
Rds On(Max)@Id,Vgs - 180 m0hms
引脚数目 - 3+Tab
栅极电压Vgs - -20 V、+20 V
封装/外壳 - SOT-223-4
连续漏极电流Id - 4 A
工作温度 - -65°C~150°C(TJ)
长度 - 6.7mm
最低工作温度 - -65 °C
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 10V
最高工作温度 - +150 °C
每片芯片元件数目 - 1 Ohms
正向二极管电压 - 1.2V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 4V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 250pF @ 30V
高度 - 1.7mm
典型关断延迟时间 - 37 ns
漏源极电压Vds - 250 pF @ 30 V
晶体管材料 - Si
Pd-功率耗散(Max) - 3W(Ta)
晶体管配置 -
FET类型 - 增强
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 4V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 250pF @ 30V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 15nC @ 10V
典型接通延迟时间 - 10 ns
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 15nC @ 10V
正向跨导 - 6S
库存与单价
库存 0 4,000
工厂交货期 56 - 70天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
购买数量 点击询价 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
SIHFL014-GE3 Vishay 未分类

暂无价格 0 当前型号
STN3NF06L STMicro  数据手册 功率MOSFET

±16V 3.3W(Tc) 100mΩ@1.5A,10V -55°C~150°C(TJ) SOT-223 N-Channel 60V 4A

¥1.419 

阶梯数 价格
40: ¥1.419
100: ¥1.0934
1,000: ¥0.9108
2,000: ¥0.8294
4,000: ¥0.7678
9,590 对比
NDT3055L ON Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

TO-261-4,TO-261AA

¥3.223 

阶梯数 价格
20: ¥3.223
100: ¥2.574
1,000: ¥2.299
2,000: ¥2.178
4,000: ¥2.068
8,633 对比
STN3NF06L STMicro  数据手册 功率MOSFET

±16V 3.3W(Tc) 100mΩ@1.5A,10V -55°C~150°C(TJ) SOT-223 N-Channel 60V 4A

暂无价格 4,000 对比
NDT3055 ON Semiconductor 通用MOSFET

4A(Ta) ±20V 3W(Ta) 100m Ohms@4A,10V -65°C~150°C(TJ) 4A N-Channel 60V 100 毫欧 @ 4A,10V -65°C~150°C(TJ) 4 A 180 m0hms -20 V、+20 V 增强 250 pF @ 30 V SOT-223-4

暂无价格 4,000 对比
STN3NF06 STMicro  数据手册 MOSFET

SOT-223

暂无价格 4,000 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售