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SIS478DN-T1-GE3  与  NTTFS4930NTAG  区别

型号 SIS478DN-T1-GE3 NTTFS4930NTAG
唯样编号 A3t-SIS478DN-T1-GE3 A-NTTFS4930NTAG
制造商 Vishay ON Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述
数据表
RoHs 不符合RoHs 不符合RoHs
规格信息
封装/外壳 PowerPAK® 1212-8 8-WDFN(3.3x3.3)
功率耗散Pd 15.6W(Tc) -
连续漏极电流Id 12A(Tc) -
工作温度 -55°C~150°C -
漏源极电压Vds 30V -
Vgs(最大值) ±25V -
导通电阻Rds(On) 20 mOhms @ 8A,10V -
Vgs(th) 2.5V @ 250uA -
FET类型 N-Channel -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
SIS478DN-T1-GE3 Vishay  数据手册 通用MOSFET

12A(Tc) N-Channel 20 mOhms @ 8A,10V 15.6W(Tc) PowerPAK® 1212-8 -55°C~150°C 30V

暂无价格 0 当前型号
RQ3E080GNTB ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

8A 2W 16.7mΩ@8A,10V 30V ±20V HSMT-8 N-Channel -55°C~150°C

¥2.5654 

阶梯数 价格
100: ¥2.5654
500: ¥2.4229
1,000: ¥2.2091
3,000: ¥1.8528
3,100 对比
RQ3E080GNTB ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

8A 2W 16.7mΩ@8A,10V 30V ±20V HSMT-8 N-Channel -55°C~150°C

¥1.7728 

阶梯数 价格
90: ¥1.7728
100: ¥1.6866
300: ¥1.2841
500: ¥1.2074
1,000: ¥1.1499
2,300 对比
RQ3E080GNTB ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

8A 2W 16.7mΩ@8A,10V 30V ±20V HSMT-8 N-Channel -55°C~150°C

¥1.7728 

阶梯数 价格
90: ¥1.7728
100: ¥1.6866
300: ¥1.2841
500: ¥1.2074
1,000: ¥1.1499
1,629 对比
RQ3E080GNTB ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

8A 2W 16.7mΩ@8A,10V 30V ±20V HSMT-8 N-Channel -55°C~150°C

暂无价格 220 对比
NTTFS4930NTAG ON Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

8-WDFN(3.3x3.3)

暂无价格 0 对比

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