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SIS478DN-T1-GE3  与  RQ3E080GNTB  区别

型号 SIS478DN-T1-GE3 RQ3E080GNTB
唯样编号 A3t-SIS478DN-T1-GE3 A32-RQ3E080GNTB-1
制造商 Vishay ROHM Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述
数据表
RoHs 不符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散Pd 15.6W(Tc) 2W
上升时间 - 3.6ns
漏源极电压Vds 30V 30V
Qg-栅极电荷 - 5.8nC
Vgs(th) 2.5V @ 250uA -
栅极电压Vgs - ±20V
典型关闭延迟时间 - 17.3ns
正向跨导 - 最小值 - 7S
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 PowerPAK® 1212-8 HSMT-8
连续漏极电流Id 12A(Tc) 8A
工作温度 -55°C~150°C -55°C~150°C
通道数量 - 1Channel
配置 - Single
Vgs(最大值) ±25V -
下降时间 - 2.4ns
典型接通延迟时间 - 6.9ns
导通电阻Rds(On) 20 mOhms @ 8A,10V 16.7mΩ@8A,10V
库存与单价
库存 0 3,100
工厂交货期 56 - 70天 7 - 14天
单价(含税) 暂无价格
100+ :  ¥2.5654
500+ :  ¥2.4229
1,000+ :  ¥2.2091
3,000+ :  ¥1.8528
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
SIS478DN-T1-GE3 Vishay  数据手册 通用MOSFET

12A(Tc) N-Channel 20 mOhms @ 8A,10V 15.6W(Tc) PowerPAK® 1212-8 -55°C~150°C 30V

暂无价格 0 当前型号
RQ3E080GNTB ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

8A 2W 16.7mΩ@8A,10V 30V ±20V HSMT-8 N-Channel -55°C~150°C

¥2.5654 

阶梯数 价格
100: ¥2.5654
500: ¥2.4229
1,000: ¥2.2091
3,000: ¥1.8528
3,100 对比
RQ3E080GNTB ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

8A 2W 16.7mΩ@8A,10V 30V ±20V HSMT-8 N-Channel -55°C~150°C

¥1.7728 

阶梯数 价格
90: ¥1.7728
100: ¥1.6866
300: ¥1.2841
500: ¥1.2074
1,000: ¥1.1499
2,300 对比
RQ3E080GNTB ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

8A 2W 16.7mΩ@8A,10V 30V ±20V HSMT-8 N-Channel -55°C~150°C

¥1.7728 

阶梯数 价格
90: ¥1.7728
100: ¥1.6866
300: ¥1.2841
500: ¥1.2074
1,000: ¥1.1499
1,629 对比
RQ3E080GNTB ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

8A 2W 16.7mΩ@8A,10V 30V ±20V HSMT-8 N-Channel -55°C~150°C

暂无价格 220 对比
NTTFS4930NTAG ON Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

8-WDFN(3.3x3.3)

暂无价格 0 对比

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