SQM60N06-15_GE3 与 AUIRFS3806TRL 区别
| 型号 | SQM60N06-15_GE3 | AUIRFS3806TRL |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A-SQM60N06-15_GE3 | A-AUIRFS3806TRL |
| 制造商 | Vishay | Infineon Technologies |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | ||
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 功率耗散Pd | - | 71W(Tc) |
| 产品特性 | 车规 | 车规 |
| 漏源极电压Vds | - | 60V |
| 栅极电压Vgs | - | ±20V |
| FET类型 | N-Channel | N-Channel |
| 封装/外壳 | TO-263 | D2PAK |
| 连续漏极电流Id | - | 43A(Tc) |
| 工作温度 | - | -55°C~175°C(TJ) |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | - | 10V |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | - | 4V @ 50µA |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 1150pF @ 50V |
| 导通电阻Rds(On) | - | 15.8mΩ@25A,10V |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 30nC @ 10V |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
SQM60N06-15_GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-263 N-Channel 车规 |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||||
|
STB60NF06T4 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-263-3 |
￥7.584
|
936 | 对比 | ||||||
|
STB60NF06LT4 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
±15V 110W(Tc) 14mΩ@30A,10V -65°C~175°C(TJ) D2PAK N-Channel 60V 60A |
￥7.296
|
927 | 对比 | ||||||
|
RSJ400N06FRATL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
40A,40A 50W 11mΩ 60V 1V D2PAK-3 车规 |
暂无价格 | 125 | 对比 | ||||||
|
AUIRFS3806TRL | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 60V 43A(Tc) ±20V 71W(Tc) 15.8mΩ@25A,10V -55°C~175°C(TJ) D2PAK 车规 |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||
|
|
STB60NF06T4 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-263-3 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
闽公网安备 35021102001214号 闽ICP备17005748号-1 增值电信业务经营许可证：闽B2-20200838
