SQM60N06-15_GE3 与 STB60NF06LT4 区别
| 型号 | SQM60N06-15_GE3 | STB60NF06LT4 | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A-SQM60N06-15_GE3 | A36-STB60NF06LT4 | ||||
| 制造商 | Vishay | STMicroelectronics | ||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||
| 分类 | 功率MOSFET | 通用MOSFET | ||||
| 描述 | MOSFET | |||||
| 数据表 | ||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||
| 规格信息 | ||||||
| 宽度 | - | 9.35 mm | ||||
| 正向跨导-最小值 | - | 20 S | ||||
| 上升时间 | - | 220 ns | ||||
| 产品特性 | 车规 | - | ||||
| 栅极电压Vgs | - | ±15V | ||||
| 封装/外壳 | TO-263 | D2PAK | ||||
| 工作温度 | - | -65°C~175°C(TJ) | ||||
| 连续漏极电流Id | - | 60A | ||||
| 配置 | - | Single | ||||
| 长度 | - | 10.4 mm | ||||
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | - | 5V,10V | ||||
| 下降时间 | - | 30 ns | ||||
| 导通电阻Rds(On) | - | 14mΩ@30A,10V | ||||
| 高度 | - | 4.6 mm | ||||
| 功率耗散Pd | - | 110W(Tc) | ||||
| 漏源极电压Vds | - | 60V | ||||
| 典型关闭延迟时间 | - | 55 ns | ||||
| FET类型 | N-Channel | N-Channel | ||||
| 系列 | - | STB | ||||
| 通道数量 | - | 1 Channel | ||||
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | - | 1V @ 250µA | ||||
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 2000pF @ 25V | ||||
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 66nC @ 4.5V | ||||
| 典型接通延迟时间 | - | 35 ns | ||||
| 库存与单价 | ||||||
| 库存 | 0 | 927 | ||||
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 3 - 15天 | ||||
| 单价（含税） | 暂无价格 |
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| 购买数量 | 点击询价 | |||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
SQM60N06-15_GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-263 N-Channel 车规 |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||||
|
STB60NF06T4 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-263-3 |
￥7.584
|
936 | 对比 | ||||||
|
STB60NF06LT4 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
±15V 110W(Tc) 14mΩ@30A,10V -65°C~175°C(TJ) D2PAK N-Channel 60V 60A |
￥7.296
|
927 | 对比 | ||||||
|
RSJ400N06FRATL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
40A,40A 50W 11mΩ 60V 1V D2PAK-3 车规 |
暂无价格 | 125 | 对比 | ||||||
|
AUIRFS3806TRL | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 60V 43A(Tc) ±20V 71W(Tc) 15.8mΩ@25A,10V -55°C~175°C(TJ) D2PAK 车规 |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||
|
|
STB60NF06T4 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-263-3 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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