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SQM60N06-15_GE3  与  RSJ400N06FRATL  区别

型号 SQM60N06-15_GE3 RSJ400N06FRATL
唯样编号 A-SQM60N06-15_GE3 A3-RSJ400N06FRATL
制造商 Vishay ROHM Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散Pd - 50W
上升时间 - 60ns
产品特性 车规 车规
漏源极电压Vds - 60V
Qg-栅极电荷 - 52nC
栅极电压Vgs - 1V
典型关闭延迟时间 - 90ns
FET类型 N-Channel -
封装/外壳 TO-263 D2PAK-3
连续漏极电流Id - 40A,40A
通道数量 - 1Channel
配置 - Single
下降时间 - 140ns
典型接通延迟时间 - 20ns
导通电阻Rds(On) - 11mΩ
库存与单价
库存 0 125
工厂交货期 56 - 70天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
SQM60N06-15_GE3 Vishay  数据手册 功率MOSFET

TO-263 N-Channel 车规

暂无价格 0 当前型号
STB60NF06T4 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-263-3

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阶梯数 价格
7: ¥7.584
100: ¥6.06
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STB60NF06LT4 STMicro  数据手册 通用MOSFET

±15V 110W(Tc) 14mΩ@30A,10V -65°C~175°C(TJ) D2PAK N-Channel 60V 60A

¥7.296 

阶梯数 价格
7: ¥7.296
100: ¥6.1674
927 对比
RSJ400N06FRATL ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

40A,40A 50W 11mΩ 60V 1V D2PAK-3 车规

暂无价格 125 对比
AUIRFS3806TRL Infineon  数据手册 功率MOSFET

N-Channel 60V 43A(Tc) ±20V 71W(Tc) 15.8mΩ@25A,10V -55°C~175°C(TJ) D2PAK 车规

暂无价格 0 对比
STB60NF06T4 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-263-3

暂无价格 0 对比

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