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要实现零碳社会的目标,交通工具的电动化至关重要。更轻、更高效的电子元器件在这一进程中。。。
第二代CoolSiC™ MOSFET 650V G2分立器件产品线现扩充ThinTOLL 8x8封装的26mΩ和33mΩ型号,将导通电阻(RDS(on))的覆盖范围扩展至20mΩ到60mΩ,提供更精细的选型梯度。
英飞凌EasyDUAL™和EasyPACK™ 2B 2kV、6mΩ半桥和三电平模块采用CoolSiC™ SiC MOSFET增强型1代M1H芯片,集成NTC温度传感器,PressFIT触点技术和氮化铝陶瓷DCB。
英飞凌采用顶部散热Q-DPAK封装的CoolSiC™ 1200V SiC MOSFET单管,专为各种工业应用开发,包括工业驱动、电动汽车充电、太阳能,SSCB,人工智能,不间断电源和CAV等。
该电路板包括两个1ED314xMC12H隔离栅极驱动器,两个IMZA120R020M1H CoolSiC™ 1200V SiC沟槽SiC MOSFET。
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