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英飞凌宣布推出其首款符合汽车电子委员会（AEC）汽车应用标准的氮化镓（GaN）晶体管系列，继续朝着成为GaN技术领导企业的目标迈进，并进一步巩固了其全球汽车半导体领导者的地位。
第五代650-700V GaN氮化镓功率晶体管可实现高频工况下的效率提升，并满足最高质量标准，能够打造具有超高效率的高可靠性设计。
近日，公司宣布其在 300mm晶圆上的可扩展GaN生产已步入正轨。随着首批样品将于2025年第四季度向客户提供，英飞凌有望扩大客户群体，并进一步巩固其作为领先氮化镓巨头的地位。
在电源设计中，基于氮化镓（GaN）的方案可实现更高的开关频率、更优的散热性能，同时大幅缩小器件体积和重量（比硅基方案减少50%以上），由此节省了大量的安装空间，整机尺寸得以缩小，功率密度大幅提升。
氮化镓（GaN）功率半导体正处于高速增长轨道，覆盖消费电子、太阳能、储能系统、电动汽车和AI数据中心等多个核心领域，成为实现净零排放与可持续发展的关键技术。
● 凭借这一突破性的300 mm GaN技术，英飞凌将推动GaN市场快速增长 ● 利用现有的大规模300 mm硅制造设施，英飞凌将最大化GaN生产的资本效率 ● 300 mm GaN的成本将逐渐与硅的成本持平
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