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功率MOSFET   10mm PG-TO220-3-1 新客领30元券,参与问卷赢华为P40

图像仅供参考 请参阅产品规格

制造商编号 SPP17N80C3
商品别名 SPP17N80C3XKSA1
制 造 商 Infineon(英飞凌)
唯样编号 A-SPP17N80C3
供货 唯样自营
无铅情况/RoHs 无铅/符合RoHs
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商品目录 功率MOSFET
通道数量 1Channel
Qg-栅极电荷 88nC
配置 Single
高度 15.65mm
长度 10mm
系列 CoolMOSC3
宽度 4.4mm
下降时间 12ns
上升时间 15ns
典型关闭延迟时间 72ns
典型接通延迟时间 25ns
FET类型 N-Channel
漏源极电压Vds 800V
连续漏极电流Id 17A(Tc)
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3.9V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 177nC @ 10V
栅极电压Vgs ±20V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2320pF @ 25V
Pd-功率耗散(Max) 208W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs 290mΩ@11A,10V
工作温度 -55°C~150°C(TJ)
封装/外壳 PG-TO220-3-1
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