| 制造商编号 | AUIRFR3504ZTRL |
|---|---|
| 制 造 商 | Infineon(英飞凌) |
| 唯样编号 | A-AUIRFR3504ZTRL |
| 供货 | |
| 无铅情况/RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 描述 |
40V 3.1A 9mΩ 20V 90W N-Channel -55°C~175°C 车规 DPAK
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参数有误？
| 参数 | 参数值 | 操作 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 功率MOSFET | |
| 通道数量 | 1Channel | |
| 漏源极电压Vds | 40V | |
| 连续漏极电流Id | 3.1A | |
| 导通电阻Rds(On) | 9mΩ | |
| 栅极电压Vgs | 20V | |
| 配置 | Single | |
| 功率耗散Pd | 90W | |
| 高度 | 2.3mm | |
| 长度 | 6.5mm | |
| FET类型 | N-Channel | |
| 宽度 | 6.22mm | |
| 下降时间 | 38ns | |
| 上升时间 | 74ns | |
| 典型关闭延迟时间 | 30ns | |
| 典型接通延迟时间 | 15ns | |
| 工作温度 | -55°C~175°C | |
| 产品特性 | 车规 | |
| 封装/外壳 | DPAK |
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| 价格梯度 | 单价(含税) |
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暂无价格 |
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最小包：3,000
制造商那里获得的最小包装数。由于唯样提供增值服务，因此最低起购数量可能会比制造商的最小包装数量少，如果要购买整盘，建议购买这个数量的整数倍
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交期：
请咨询客服
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| 起订量： 3,000 | 倍数：1 |
专为匹配英飞凌600V/650V CoolMOS™ 7系列MOSFET设计，高效率、高可靠性和高功率密度
可增强GNSS信号灵敏度，适用于工作频率范围为1164MH~1300MHz的L频段应用
创新的多核架构基于多达三个独立的32位TriCore CPU，旨在满足最高的安全标准，同时显著提高性能
低饱和压降VCEsat,低开关损耗以及高电流密度
专为高性能应用设计，针对高开关频率进行了优化，品质因数出色
| 制造商编号 | 最近销量(PCS) |
|---|---|
| LP2371LT1G | 72,000 |
| NCEP035N85GU | 65,000 |
| NCEP026N10 | 55,000 |
| GP3401A | 54,000 |
| NCE60P25K | 45,000 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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AUIRFR3504ZTRL | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
40V 3.1A 9mΩ 20V 90W N-Channel -55°C~175°C 车规 DPAK |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||||
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FDD8647L | ON Semiconductor | 通用MOSFET |
14A(Ta),42A(Tc) ±20V 3.1W(Ta),43W(Tc) 9m Ohms@13A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-252-3,Dpak,SC-63 DPAK N-Channel 40V 14A 9 毫欧 @ 13A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 |
暂无价格 | 0 | 对比 | |||||||
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NVD5117PLT4G-VF01 | ON Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO252 车规 |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||
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BUK7208-40B,118 | Nexperia | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT428 N-Channel 8mΩ@10V 167W 185°C 3V 40V 75A |
￥8.812
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0 | 对比 | ||||||
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NVD5117PLT4G-VF01 | ON Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO252 车规 |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||
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BUK7208-40B,118 | Nexperia | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT428 N-Channel 8mΩ@10V 167W 185°C 3V 40V 75A |
￥5.2546
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0 | 对比 |
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