| 制造商编号 | BAS40E6433HTMA1 |
|---|---|
| 商品别名 | BAS 40 E6433 |
| 制 造 商 | Infineon(英飞凌) |
| 唯样编号 | A-BAS40E6433HTMA1 |
| 供货 | |
| 无铅情况/RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 描述 |
DIODE SCHOTTKY 40V 120MA SOT23-3
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| PDF资料下载 |
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参数有误？
| 参数 | 参数值 | 操作 |
|---|---|---|
| 商品目录 | RF二极管 | |
| 不同If时电压-正向(Vf) | 1V @ 40mA | |
| 不同Vr时电流-反向泄漏 | 1uA @ 30V | |
| 不同 Vr、F时电容 | 5pF @ 0V,1MHz | |
| 二极管类型 | 肖特基 | |
| 反向恢复时间(trr) | 100ps | |
| 封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | |
| 工作温度-结 | -55°C ~ 150°C | |
| 电压-DC反向(Vr)(最大值) | 40V | |
| 电流-平均整流(Io) | 120mA(DC) | |
| 速度 | 小信号 =< 200mA(Io),任意速度 |
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| 价格梯度 | 单价(含税) |
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暂无价格 |
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最小包：10,000
制造商那里获得的最小包装数。由于唯样提供增值服务，因此最低起购数量可能会比制造商的最小包装数量少，如果要购买整盘，建议购买这个数量的整数倍
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交期： 请咨询客服 |
提供从400 V到2000 V的CoolSiC™MOSFET产品，可在工业领域实现广泛应用
高性能低噪声放大器 (LNA) MMIC，基于英飞凌可靠的大容量硅锗碳 (SiGe:C) 双极技术
非常适合用于USB-PD和快速充电器设计
根据超结原理 (SJ) 设计，极低的开关和传导损耗
采用TrenchStop™和Fieldstop技术，可提供卓越的开关性能
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||
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BAS40E6433HTMA1 | Infineon | 数据手册 | RF二极管 |
BAS 40 E6433_TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||||||||||
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BAS40-04,215 | Nexperia | 数据手册 | 肖特基(SBD)二极管 |
BAS40-04_SOT-23 |
￥0.2869
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17,483 | 对比 | ||||||||||||
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BAT721,215 | Nexperia | 数据手册 | 肖特基(SBD)二极管 |
BAT721_SOT-23 |
￥0.6136
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15,020 | 对比 | ||||||||||||
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PMEG4010ET,215 | Nexperia | 数据手册 | 肖特基(SBD)二极管 |
PMEG4010ET_SOT-23 |
￥0.5092
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9,000 | 对比 | ||||||||||||
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BAT720,215 | Nexperia | 数据手册 | 肖特基(SBD)二极管 |
BAT720_SOT-23 |
￥0.9204
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1,899 | 对比 | ||||||||||||
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PMEG4005ET,215 | Nexperia | 数据手册 | 肖特基(SBD)二极管 |
PMEG4005ET_SOT-23 |
￥0.6155
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100 | 对比 |
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