| 制造商编号 | IPD50R950CE |
|---|---|
| 商品别名 | IPD50R950CEATMA1 |
| 制 造 商 | Infineon(英飞凌) |
| 唯样编号 | A-IPD50R950CE |
| 供货 | |
| 无铅情况/RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 描述 |
Pd-功率耗散(Max)：53W Rds On(Max)@Id,Vgs：950mΩ 漏源极电压Vds：500V 连续漏极电流Id：4.3A 封装/外壳：DPAK (TO-252)
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参数有误？
| 参数 | 参数值 | 操作 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 功率MOSFET | |
| 通道数量 | 1Channel | |
| Qg-栅极电荷 | 10.5nC | |
| 配置 | Single | |
| Pd-功率耗散(Max) | 53W | |
| 高度 | 2.3mm | |
| 长度 | 6.5mm | |
| 系列 | XPD50R950 | |
| 宽度 | 6.22mm | |
| 下降时间 | 19.5ns | |
| 上升时间 | 4.9ns | |
| 典型关闭延迟时间 | 25ns | |
| 典型接通延迟时间 | 7ns | |
| Moisture Level | 3 | |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 950mΩ | |
| 漏源极电压Vds | 500V | |
| 连续漏极电流Id | 4.3A | |
| 封装/外壳 | DPAK (TO-252) | |
| Rth | 3.7K/W | |
| QG | 10.5nC | |
| Budgetary Price €/1k | 0.27 | |
| Ptot max | 34.0W | |
| FET类型 | N-Channel | |
| Pin Count | 3.0Pins | |
| RthJA max | 62.0K/W | |
| Mounting | SMT | |
| RthJC max | 3.7K/W | |
| 栅极电压Vgs | 2.5V,3.5V | |
| 工作温度 | -55°C~150°C |
Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合，其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能，实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。
Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合，其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能，实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。
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| 价格梯度 | 单价(含税) |
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暂无价格 |
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最小包：2,500
制造商那里获得的最小包装数。由于唯样提供增值服务，因此最低起购数量可能会比制造商的最小包装数量少，如果要购买整盘，建议购买这个数量的整数倍
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交期： 3天-5天 |
高性能低噪声放大器 (LNA) MMIC，基于英飞凌可靠的大容量硅锗碳 (SiGe:C) 双极技术
非常适合用于USB-PD和快速充电器设计
根据超结原理 (SJ) 设计，极低的开关和传导损耗
采用TrenchStop™和Fieldstop技术，可提供卓越的开关性能
Infineon Technologies TRENCHSTOP™ RC-H5 1200V/1350V IGBT开发和优化用于满足感应烹饪应用的严格要求。
| 制造商编号 | 最近销量(PCS) |
|---|---|
| LMP22D5N3T5G | 200,000 |
| PJA3441-AU_R1_000A1 | 33,000 |
| IPB200N25N3 G | 33,000 |
| PMPB215ENEAX | 18,000 |
| PJA3440-AU_R1_000A1 | 15,000 |
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