IRF100S201 与 AOB292L 区别
| 型号 | IRF100S201 | AOB292L | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A-IRF100S201 | A-AOB292L | ||||||||
| 制造商 | Infineon Technologies | AOS | ||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET | ||||||||
| 描述 | IRF100S201 Series 100 V 4.2 mOhm Surface Mount HEXFET® Power Mosfet - D2PAK-3 | |||||||||
| 数据表 | ||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||
| 规格信息 | ||||||||||
| Crss(pF) | - | 32 | ||||||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 4.2mΩ@115A,10V | 4.1mΩ@20A,10V | ||||||||
| Qgd(nC) | - | 13.5 | ||||||||
| 栅极电压Vgs | ±20V | ±20V | ||||||||
| Td(on)(ns) | - | 20 | ||||||||
| 封装/外壳 | TO-263AB | TO-263 | ||||||||
| 工作温度 | -55°C~175°C(TJ) | -55°C~175°C | ||||||||
| 连续漏极电流Id | 192A | 105A | ||||||||
| Ciss(pF) | - | 6775 | ||||||||
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 10V | - | ||||||||
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 4V @ 250µA | - | ||||||||
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 9500pF @ 50V | - | ||||||||
| Trr(ns) | - | 50 | ||||||||
| Td(off)(ns) | - | 48 | ||||||||
| 漏源极电压Vds | 100V | 100V | ||||||||
| Pd-功率耗散(Max) | 441W(Tc) | 300W | ||||||||
| Qrr(nC) | - | 380 | ||||||||
| VGS(th) | - | 3.4 | ||||||||
| FET类型 | N-Channel | N-Channel | ||||||||
| 系列 | HEXFET®,StrongIRFET™ | - | ||||||||
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 4V @ 250µA | - | ||||||||
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 9500pF @ 50V | - | ||||||||
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 255nC @ 10V | - | ||||||||
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 255nC @ 10V | - | ||||||||
| Coss(pF) | - | 557 | ||||||||
| Qg*(nC) | - | 90* | ||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||
| 库存 | 10 | 749 | ||||||||
| 工厂交货期 | 3 - 5天 | 3 - 5天 | ||||||||
| 单价（含税） | 暂无价格 |
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| 购买数量 | 点击询价 | |||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||
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IRF100S201 | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 441W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 4.2mΩ@115A,10V N-Channel 100V 192A TO-263AB |
暂无价格 | 10 | 当前型号 | ||||||||||
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IPB042N10N3 G | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 100V 100A(Tc) ±20V 214W(Tc) 4.2mΩ@50A,10V -55°C~175°C(TJ) PG-TO263-3 |
暂无价格 | 1,000 | 对比 | ||||||||||
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AOB292L | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-263 N-Channel 100V ±20V 105A 300W 4.1mΩ@20A,10V -55°C~175°C |
￥14.6939
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749 | 对比 | ||||||||||
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BUK765R0-100E,118 | Nexperia | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT404 N-Channel 349W -55°C~175°C ±20V 100V 120A |
暂无价格 | 600 | 对比 | ||||||||||
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PSMN5R6-100BS,118 | Nexperia | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT404 N-Channel 306W 175°C 3V 100V 100A |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||
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BUK965R8-100E,118 | Nexperia | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT404 N-Channel 349W 175°C 1.7V 100V 120A |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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